功能描述：N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? K5

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA

Vgs（最大值）：±30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：130W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 1.17A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：1

STB8NC50T4

STB8NM60

STB8NM60D

STB8NM60DT4

STB8NM60N

STB8NM60T4

STB8NS25

STB8NS25T4

STB95N3LLH6

STB95N4F3